季振国
,
席俊华
,
毛启楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10074
利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS),并用它测量了重掺硅片中的氧含量.硅中的氧含量通过LIBS谱中的OI(777nm)谱线和SiI(288nm)谱线的强度比值OI/SiI获得.为了确定氧含量的绝对值,选定了4个轻掺杂的硅样品,分别利用业界通用的傅利叶变换红外吸收光谱(FTIR)和LIBS对其中的氧含量进行了测量,由此得出了利用LIBS确定硅中氧含量的定标曲线,并根据该定标曲线成功地测出了几个重掺硅片中的氧含量.
关键词:
激光诱导击穿光谱
,
氧含量
,
重掺硅
