郭兵
,
陈长乐
,
罗超
,
张云婕
,
贺健康
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在SrTiO3(100)、LaAlO3 (100)和MgO(100)单晶基片上制备了双层钙钛矿锰氧化物La13Sr17Mn2O7(LSMO)薄膜.X射线衍射谱表明三个样品均沿衬底的晶向择优生长;原子力显微镜显示薄膜表面均光滑致密.采用标准四探针法对薄膜的阻温特性进行了研究,发现SrTiO3 (100)和LaAlO3(100)基片上生长的薄膜呈现出明显的金属-绝缘体转变,转变温度分别为340 K和330 K.而在MgO基片上显示绝缘体态,无金属-绝缘体转变.结合阻温曲线的拟合及薄膜与衬底的晶格失配计算,从薄膜应力和激活能变化的角度分析了样品出现不同阻温特性的内在机制.
关键词:
脉冲激光沉积
,
LSMO薄膜
,
择优取向
,
应力
,
激活能
杜永胜
,
王波
,
许仕龙
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于敦波
,
李彤
,
严辉
,
张深根
功能材料
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.
关键词:
LSMO薄膜
,
SMO缓冲层
,
择优取向生长
,
界面扩散
杜永胜
,
张雪峰
,
于敦波
,
李彤
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.009
利用磁控溅射方法,在(100)Si、LaAlO3(LAO)和SrTiO3(STO)衬底上制备得到了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜,通过X射线衍射仪、原子力显微镜以及磁性测量系统研究了不同温度氧气氛下的后续退火对LSMO薄膜结构及磁学性能的影响. 结果表明:随着退火温度的升高,LAO和STO衬底上的LSMO薄膜氧含量逐渐增加,Mn4+/Mn3+的比值逐渐趋向于3∶7,表现为面外晶格常数逐渐减少,饱和磁化强度及居里温度都有明显提高,而矫顽力则有所降低;拉曼散射实验结果更直观的给出了退火后LSMO晶格有序性的增加和Jahn-Teller畸变的减弱;而Si单晶上的LSMO薄膜在高温下由于与衬底发生了复杂的化学反应而导致相结构发生改变.
关键词:
LSMO薄膜
,
退火
,
矫顽力
,
平均表面粗糙度
杜永胜
,
张红霞
,
张雪峰
,
于敦波
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.011
利用磁控溅射方法,在(100),(110)和(111)LaAlO3(LAO)衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜并对其结构及磁电学性能进行了系统研究.结果表明:LSMO薄膜完全按LAO衬底取向生长;(111)生长方向的薄膜由于晶格畸变程度最小,磁畴方向能较好的保持一致性,从而具有最大的磁饱和强度值;高的磁有序度减弱了巡游电子eg的自旋无序相关散射,有效降低了电阻.但外加磁场后电阻变化不明显,最大磁电阻值只有5.1%.
关键词:
LSMO薄膜
,
应变
,
eg电子
,
磁电阻
肖玲
,
陈莹
,
刘振
,
王根水
,
温志渝
,
董显林
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160332
采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究.结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm.在10~300 K温度范围内,LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应,20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异.随着薄膜厚度的增加,薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低.这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中,导致MnO6八面体畸变造成的.
关键词:
LSMO薄膜
,
PLZST陶瓷
,
磁电阻
,
扩散
赵省贵
,
陈长乐
,
金克新
,
任韧
,
王永仓
,
宋宙模
功能材料
用磁控溅射方法制备了钙钛矿锰氧化合物La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)单晶外延薄膜,该薄膜发生顺磁绝缘-铁磁金属相变的转变温度Tc≈330K.在室温(T=293K),偏置电流对LSMO薄膜输运性质的影响表明,随着电流的增大,材料的晶格畸变加强,电阻值增大,同时薄膜的激光反射率减小.用固体光学理论对其进行定性解释.
关键词:
LSMO薄膜
,
反射率
,
晶格畸变
杜永胜
,
王波
,
许仕龙
,
于敦波
,
李彤
,
严辉
,
张深根
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.001
利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积得到了(110)择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响.结果表明:当沉积温度为600℃时,增加缓冲层SMO的厚度,LSMO薄膜的取向性变好;当缓冲层SMO厚度为45 nm时,LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征.进一步的工作证实:提高沉积温度,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度;当沉积温度为800℃时,由于类退火作用的存在,厚度为10 nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长.
关键词:
LSMO薄膜
,
SMO缓冲层
,
择优取向生长
徐驰
,
殷明志
,
高文娟
,
彭焕英
材料科学与工程学报
以无机盐为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Si衬底上制备La1-xSrxMnO3（LSMO）薄膜,XRD和TEM分析表明LSMO薄膜呈现纳米晶菱形钙钛矿结构,SEM分析表明LSMO薄膜表面平整、光滑致密。磁学测试结果表明：在0T、0.4T和0.8T时薄膜的Tp分别为220K、224K和229K,随着磁场的增大Tp移向高温的同时峰值电阻降低,这与铁磁相变及磁场对DE作用的影响有关。MR极值在250K左右达18.4%。
关键词:
溶胶-凝胶工艺
,
LSMO薄膜
,
磁阻
