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Czochralski法生长Lu2SiO5:e晶体的发光特性

任国浩 , 秦来顺 , 陆晟 , 李焕英

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.012

本文使用铱坩埚感应加热Czochralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达φ50mm×60mm 的Lu2SiO5:e晶体.XRD结构分析表明, 该晶体为单斜结构.在室温下分别以X射线和紫外光为激发源测量了该晶体的发射光谱,获得的发射波长分别为403nm和420nm,光衰减时间为41ns,光产额达32000p/MeV.发射光谱的双峰结构以及晶体的发光特性证明其发光源于Ce3+离子的5d1→5F5/2 和 5d1→5F7/2跃迁.

关键词: LSO , 晶体生长 , 发光性能