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LaNiO3溅射薄膜的光学和电学特性的研究

赵强 , 赖珍荃 , 黄志明 , 陈静 , 褚君浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.016

采用 LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在 350℃的 K9玻璃衬底上制备出了具有较好( 100) 择优取向的 LaNiO3薄膜.通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析, 发现薄膜厚度小于 100nm时为非晶结构,厚度大于 150nm后出现了具有( 100)择优取向的 La...

关键词: LaNiO3薄膜 , 射频溅射 , 光学特性 , 表面电阻

溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响

张丛春 , 杨春生 , 石金川 , 丁桂甫

功能材料

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜.通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率.借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响.实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化.溅...

关键词: 磁控溅射 , LaNiO3薄膜 , 显微结构 , 电阻率

溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响

赵强 , 褚君浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.006

在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验...

关键词: 射频溅射 , LaNiO3薄膜 , 导电性 , 晶格参数

退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响

姜涛 , 祝元坤 , 赵爽 , 李磊 , 余远根 , 王现英

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si(100)衬底上制备了镍酸镧(LaNiO3,LNO)薄膜,并利用XRD、SEM、AFM和半导体参数分析仪等研究了退火升温速率对LNO薄膜结构和电学性能的影响.结果表明,溶胶-凝胶法制备的LNO薄膜呈现赝立方钙钛矿型多晶结构,呈(110)择优取向生长;薄膜表面平整、均匀...

关键词: 溶胶-凝胶法 , LaNiO3薄膜 , 退火升温速率 , 电阻率

磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究

赵强 , 褚君浩

功能材料

采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜.测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率.当Ni和La含量比＞1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性.随着La过量...

关键词: LaNiO3薄膜 , 导电性 , 晶格常数

不同衬底上LaNiO3导电氧化物薄膜的制备和研究

李建康 , 姚熹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.012

通过MOD法和快速热处理过程,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电氧化物薄膜.经XRD结构分析表明,所制备的LNO薄膜具有纯的钙钛矿结构,并且以(100)方向择优取向.经SEM和AFM分析表明,LNO薄膜具有表面均匀、无裂纹.经标准四探针法测试...

关键词: LaNiO3薄膜 , 快速热处理 , 钙钛矿结构

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