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浮区法生长Lu2Si2O7∶Ce晶体的缺陷、光学和闪烁性能研究

冯鹤 , 任国浩 , 丁栋舟 , 李焕英 , 徐军 , 杨秋红 , 徐家跃

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12599

通过浮区法制备得到LPS∶0.5%Ce单晶样品,并对其包裹体、开裂、闪烁和光学性能进行了研究,获得了晶体的电子探针谱、透过谱、77~500 K下的紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和77~500 K下的衰减时间谱.研究发现晶体中存在解理开裂和热应力开裂,同时存在两种类型的包裹体,分别包含[5i3O9]6-、[SiO3]n2-阴离子团和过量的SiO2.由于采用空气为生长气氛,样品中部分Ce3+被氧化为Ce4+.浮区法LPS∶0.5%Ce表现出较高的发光效率,约为32000 ph/MeV.随着温度的升高,样品的紫外激发发射谱逐渐向长波方向移动,发射谱谱线随着温度的升高展宽,导致自吸收的增加.衰减时间的温度转变点位于450 K,表明LPS:Ce闪烁晶体适用于高温环境,是一种性能优异的闪烁晶体.

关键词: Lu2Si2O7∶Ce , 浮区法 , 单晶 , 缺陷 , 闪烁性能

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