伏春平
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.12.013
采用第一性原理研究Cu ，Ag ，Au掺杂单层MoS2的键长畸变、能带结构和态密度。探讨Cu ，Ag ，Au掺杂对单层MoS2电子结构的影响。结果表明：Cu ，Ag ，Au在S位掺杂的杂质能都低于在Mo位掺杂的杂质能，其在S位掺杂的体系的稳定性强于在Mo位掺杂的体系。在S位掺杂时，杂质与最近邻的Mo ，S原子的键长都发生了畸变，畸变率最大的是 dAu‐Mo ，达23．8％。与单层MoS2的超胞相比，掺杂体系的禁带中出现了4条新能级，导带和价带的能量向低能区移动。杂质原子周围存在着电荷聚集，同时也存在电荷损失。
关键词:
M oS2
,
能带结构
,
态密度
,
掺杂
,
第一性原理
