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检索条件：关键词=MBE/STM
罗子江 , 周勋 , 郭祥 , 王继红 , 魏文喆 , 王一 , 丁召
材料导报
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RH EED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分析,STM图片证实采用该方法获...
关键词: InAs , InP , InGaAs , MBE/STM , 表面形貌
王继红 , 罗子江 , 周勋 , 丁召
功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.005
采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析.研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,...
关键词: 间歇式As中断 , InGaAs , 量子点 , MBE/STM
