严春雷
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刘荣军
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曹英斌
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张长瑞
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张德坷
材料导报
高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS (Microelectromechanical systems)提出了新的挑战.SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为SiMEMS体系极具竞争力的替代材料.综述了关于立方相碳化硅(3C-SiC)薄膜的化学气相沉积(CVD)制备方法,介绍了其力学、电学性能的最新研究进展,最后举例说明了3C-SiC薄膜在MEMS器件中应用的研究现状.
关键词:
立方相碳化硅薄膜
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化学气相沉积
,
力学性能
,
电学性能
,
MEMS器件
汪红
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丁桂甫
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戴旭涵
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苏宇锋
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张永华
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王志民
功能材料
研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜组成、磁性能的对比研究表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co82.4Ni11.9Mn0.4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=208790A/m,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.
关键词:
MEMS器件
,
CoNiMnP永磁体薄膜
,
磁性能
,
掩膜电沉积