陈明祥
,
甘志银
,
刘胜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.003
选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热.理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相.另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合.
关键词:
圆片键合
,
感应加热
,
金-硅共晶
,
微机电系统(MEMS)封装
