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稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件

孙甲明 , 张俊杰 , 杨阳 , 张新霞 , 刘海旭 ,

材料科学与工程学报

本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况.通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm、543 nm、440 nm)至紫外(316 n...

关键词: 半导体光电子 , 电致发光 , MOS器件 , 稀土离子 , 二氧化硅