王陈
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李庆忠
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朱仌
人工晶体学报
针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著.向当前抛光液中加入5wt％的15 nmSiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min.说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用.
关键词:
超声波
,
雾化施液
,
CMP
,
磨料粒径
,
材料去除率
伍立军
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王筠松
,
郭耘
,
卢冠忠
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20160514
以Ce2(CO3)3为前驱体,La2(CO3)3和Pr2(CO3)3为掺杂试剂,NH4F为氟化剂制备铈基抛光粉,研究了WLa/Pr掺杂对铈基抛光粉的物相结构、表面形貌、表面Zeta电位和抛蚀量的影响.XRD,Raman光谱和Zeta电位分析表明:F的引入可以显著地减小铈基抛光粉的晶粒尺寸、增大其品格缺陷和颗粒表面Zeta电位,且同时掺La-Pr比单独掺La对增大其晶格缺陷和颗粒表面Zeta电位影响更大.SEM分析表明,F的引入有利于颗粒的球形化,掺入La或Pr有利于改善颗粒的聚集状态.抛光测试分析表明:抛蚀量的大小与相应铈基抛光粉的颗粒表面Zeta电位和晶格缺陷成正比.
关键词:
铈基抛光粉
,
掺杂
,
Zeta电位
,
抛蚀量
