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应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展

孙伟峰 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 朱丽萍

SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极...

关键词: SiGe , 双极 , CMOS , 射频 , MSG

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