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微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究

李瀛 , 刘毅 , 阴生毅 , 胡跃辉 , 宋雪梅 , 邓金祥 , 朱秀红 , 陈光华

功能材料

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

关键词: 氢化非晶硅 , MWECR , CVD , 氢含量