王华
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燕红
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许积文
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江民红
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杨玲
人工晶体学报
以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响；薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低；不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85％以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响；室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降.
关键词:
Mg0.2Zn0.8O∶Al
,
紫外透明导电薄膜
,
磁控溅射
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溅射压强
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退火气氛
,
光电性能
