陈金学
,
尹洪峰
,
田养利
,
蔡艳芝
,
帅航
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20140917.004
采用反应热压烧结法制备MgAl2O4/Ti3SiC2复合材料,研究热压温度和MgAl2O4含量对该复合材料相组成、力学性能及抗氧化性能的影响.结果表明:热压温度影响MgAl2 O4/Ti3SiC2复合材料相组成,在1 450℃烧结可得到性能良好的MgAl2O4/Ti3SiC2复合材料.引入适量的Mg...
关键词:
MgAl2O4
,
Ti3SiC2
,
复合材料
,
热压烧结
,
力学性能
,
抗氧化性能
武小娟
,
王明远
,
张翼飞
,
李苏
,
李俊寿
硅酸盐通报
透明镁铝尖晶石陶瓷的制备,对粉体有特殊的要求.高纯、超细、分散性好、高活性的粉体是制备镁铝尖晶石透明陶瓷的首要条件.本文以制备镁铝尖晶石透明陶瓷为目标,从粉体的纯度和粉体颗粒特征两方面分析了粉体的性能对制备透明镁铝尖晶石陶瓷的影响,介绍了几种可用于制备镁铝尖晶石透明陶瓷粉体的方法,分析比较了每种方法...
关键词:
MgAl2O4
,
透明陶瓷
,
复合氧化物
,
透波材料
,
粉体
李美玲
,
孙凤久
材料导报
采用密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PW-USP)和广义梯度近似(GGA)对不同锰离子掺杂浓度的掺杂镁铝尖晶石晶体Mg1-xMnxAl2O4(x=0、0.125、0.5)的晶体结构、电子结构和光学性质进行了计算.解释了锰离子掺杂浓度使晶格常数变化的微观机制;分析了锰离子掺杂浓度对电子结构和光...
关键词:
MgAl2O4
,
锰掺杂浓度
,
DFT
,
电子结构
,
光学性质
苏新禄
,
周宁生
,
张三华
,
钟香崇
,
叶方保
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2002.03.004
利用TG-DTA和XRD研究了氧氮化铝(AlON)在高温下的氧化行为及其与MgO和MgAl2O4的作用.结果表明:AlON在850℃左右开始氧化,1170℃左右氧化最为剧烈;MgO和MgAl2O4在1200℃都能与AlON形成固溶体,且后者更易形成;形成固溶体对AlON的氧化有一定的抑制作用.
关键词:
AlON
,
氧化
,
MgO
,
MgAl2O4
,
固溶
杨道媛
,
毋娟
,
朱凯
,
张锐
硅酸盐通报
本文采用MgO粉和金属Al粉为原料,在氮气气氛下制备MgAl2O4晶须,研究了TiO2、SiO2或Cr2O3等供氧添加剂和制备条件对晶须合成率的影响并分析了晶须的物相组成和结构.结果表明:最佳MgO/Al=2/3;添加SiO2或Cr2O3不利于晶须合成;添加TiO2对合成晶须有促进作用,最佳TiO2...
关键词:
MgAl2O4
,
晶须
,
透明
,
制备
张巨先
,
梁龙
,
高陇桥
稀有金属材料与工程
将MgO以MgAl2O4的形式掺杂到Al2O3中,研究MgAl2O4的掺杂量及其在不同烧结工艺条件下,对Al2O3陶瓷烧结性能和显微结构的影响.结果显示:在氧化气氛1 640℃下烧结,掺杂MgAl2O4的Al2O3陶瓷烧结性能较掺杂MgO的Al2O3陶瓷差.而在氢气氛1 640℃下烧结,掺杂MgAl...
关键词:
Al2O3陶瓷
,
MgAl2O4
,
烧结性能
,
长柱状晶粒
李友芬
,
秦奕鸿
,
刘莉莉
硅酸盐通报
采用固相微波法研究了助熔剂对MgAl2O4∶ Eu3+荧光粉发光性能的影响.利用XRD和荧光光谱仪对合成产物的物相和发光光谱进行研究,分别探讨了助熔剂的类型及含量对发光性能影响.结果表明,加入NaF,CaF2,B2O3和GeO2为助熔剂时可得到红色发光材料;MgAl2O4∶Eu3+荧光粉主发射峰位于...
关键词:
助熔剂
,
MgAl2O4
,
发光性能
,
微波法
齐建起
,
卢铁城
,
常相辉
,
雷牧云
,
黄存新
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.04.005
用传统合成金刚石用的六面顶压机,使用工艺简单的高温焙烧法得到的MgAl2O4纳米粉体,采用超高压烧结法分别在较低温度800～U00℃和较高压强3～5 GPa下尝试进行了纳米透明陶瓷的制备,得到了平均粒径约为50～75 nm的MgAl2O4纳米透明陶瓷,发现烧结陶瓷的最佳温度为1000℃,最佳压力为4...
关键词:
无机非金属材料
,
MgAl2O4
,
纳米透明陶瓷
,
超高压烧结
,
透明机理
赵兴宇
,
郭文利
,
葛昌纯
稀有金属材料与工程
以Mg(NO3)2·6H2O和Al(NO3)3·9H2O为原料,分别采用尿素和柠檬酸为燃料,NH4NO3为燃烧助剂,用溶胶凝胶自燃合成(Sol-gel Auto ignition Synthesis,SAS)法制备MgAl2O4超细粉体(平均粒径20 nm～30 nm).2个体系在300℃～600℃...
关键词:
MgAl2O4
,
SAS
,
推进剂化学理论
