单迪
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闫果
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周廉
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李成山
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王庆阳
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张胜楠
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熊晓梅
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刘国庆
稀有金属材料与工程
研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响.随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生.随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K.利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值.结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值.然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高.
关键词:
MgB2块体
,
Ti3SiC2掺杂
,
超导性
