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MnSe/Ti薄膜电沉积制备及其表征

李文坡 , 李春焕 , 马斯 , 谢昭明 , 张胜涛

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.11.026

在钛电极表面上,采用电化学方法在0.lmol/L MnSO4和0.002mol/L SeO2的溶液中沉积硒化锰(MnSe)薄膜.循环伏安实验结果表明在-1.60～-1.70V电位范围易发生Mn和Se共沉积.然后采用XRD、SEM及EDS等研究沉积电位分别在-1.55、-1.60、-1.65和-1.70V时得到薄膜的特性,结果表明上述选定的电位不影响沉积层立方结构优先沿(200)晶面向；不同电位对沉积层形貌及化学计量数有显著影响.控制电位可以沉积得到不同特征的MnSe薄膜.

关键词: MnSe , 循环伏安法 , 恒电位 , 共沉积