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MnxCd1-xIn2 Te4晶体生长研究

常永勤 , 安卫军 , 郭喜平 , 介万奇

功能材料

采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0.22Cd0.78In2Te4晶体.当晶体生长到预定长度时,淬火得到固液界面.采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律,并进行了相成分分析.研究发现,淬火得到的Mn0.22 Cd0.78In2Te4晶体中存在两个界面,其中一个为固液相变界面,另一个为由α+β两相区发展到单相β区时的转变界面,二者相对于生长初始端均为凹形;α+β两相区中,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在,其中条状β相多分布在晶界处;越接近生长初始端,花状和近似圆片状β相越小,条状β相越细,它们的含量越少;X射线衍射图谱表明,β相为黄铜矿结构,α相为面心立方结构.

关键词: MnxCd1-xIn2Te4 , 相变界面 , β相 , X射线衍射图谱

Bridgman法生长的Mn_xCd_1-xIn₂Te₄晶体相形成规律和物理性能研究

常永勤 , 安卫军 , 郭喜平 , 介万奇

无机材料学报

采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物Mn_xCd_1-xIn₂Te₄晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn_0.1Cd_0.9In₂Te₄晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β₁,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In₂Te₃类面心立方结构化合物.组分x增大后,Mn_xCd_1-xIn₂Te₄晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x^-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.

关键词: Mn_xCd_1-xIn₂T_e4 , compositional distribution , infrared transmission spectra , mag- netic susceptibility

Bridgman法生长的MnxCd1-xIn2Te4晶体相形成规律和物理性能研究

常永勤 , 安卫军 , 郭喜平 , 介万奇

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.004

采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里一外斯定律,在低温区(＜50K)则表现出顺磁增强现象.

关键词: MnxCd1-xIn2Te4 , 成分偏析 , 红外透射光谱 , 磁化率

Composition Distribution in the MnxCd1-xIn2Te4 Ingot Grown by ACRT-B Method

材料科学技术（英文）

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