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Mo电极形貌对AIN薄膜择优取向生长的影响

熊娟 , 顾豪爽 , 胡宽

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.018

采用射频磁控溅射方法在不同形貌的Mo电极上制备了(002)择优取向的AIN薄膜.采用XRD、FESEM表征了Mo电极及AIN薄膜的结构、表面形貌及择优取向.结果表明,Mo电极的形貌影响AIN薄膜的择优取向生长,在较高溅射气压下沉积的Mo电极晶粒细小、分布均匀,有助于AIN薄膜(002)择优取向生长.

关键词: 磁控溅射 , Mo电极 , AIN薄膜 , 择优取向

Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜

熊娟 , 顾豪爽 , 胡宽 , 吴小鹏

稀有金属材料与工程

采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.

关键词: AlN薄膜 , 射频磁控反应溅射 , c轴择优取向 , Mo电极

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