邵景珍
,
董伟伟
,
陶汝华
,
邓赞红
,
周曙
,
方晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.021
利用溶胶凝胶法在Al2O3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电薄膜,研究了钼的掺杂量(0～1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密.通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低.且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at%时,获得最小电阻率为0.13 Ωcm.薄膜在近红外区域(800～2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围.
关键词:
材料
,
光电特性
,
溶胶凝胶法
,
钼掺杂氧化锌
,
透明导电氧化物
