朱锋
,
赵颖
,
魏长春
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任慧智
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薛俊明
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张晓丹
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高艳涛
,
张德坤
,
孙建
,
耿新华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.018
本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253cm2.
关键词:
非晶/微晶叠层电池
,
微晶硅
,
N/P隧穿结
