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氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术,该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构,通过调整工艺条件可以适度控制氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率.氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主要取决于氯化铯薄膜厚度、显影时间和相对湿度,其中膜厚的影响最大.通常在其他条件不变的情况下,薄膜越厚覆盖率越高,而显影时间越长覆盖率则可能越低.在厚度、相对湿度一定的情况下,显影时间较短时,岛结构以小直径为主,随着时间增加,该结构直径分布变得均匀,并且以大直径为主,两者都大致符合高斯分布.

关键词: 纳米岛 , 自组装技术 , NEMS , 纳米加工技术

基于碳纳米管的纳机电系统的可控稳定振动

李健文 , 刘念华

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.007

采用数值方法研究了基于双壁碳纳米管的纳机电系统在周期性简谐驱动力作用下实现稳定振动的条件.确定了获得持久稳定的振动的系统和控制力参数.计算和分析了双壁碳纳米管的操作特性.结果表明,通过选择合适的驱动振幅和频率,能够实现双壁碳纳米管的持久稳定振动.该方法对于进一步研究基于碳纳米管的纳机电系统的设计有重要的参考价值.

关键词: 纳机电系统 , 纳米振子 , 驱动频率 , 稳定振动 , 碳纳米管

基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备

刘杨 , 张明亮 , 季安 , 王晓东 , 杨富华

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.03.265

纳机电系统(NMES)由于具有体积小、智能化、可靠性高等优点而被广泛研究.其中纳米线谐振子的本征频率能够达到MHz甚至GHz,可应用于各种高性能的质量传感器、谐振器、滤波器等.但是,要制备形貌规则可控的纳米线谐振子,对加工技术要求很高.目前急需一种工艺简单、重复性好、三维尺度可控的硅纳米线制备方法.本文重点研究了基于浓硼扩散层的可集成硅纳米线谐振子的制备方法.该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线,并利用TMAH腐蚀自停止效应实现谐振子的释放.文中还采用SEM对所制备的纳米线谐振子进行了表征.实验结果表明,基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则,结构可控可调.该方法能够实现可控制的大面积、高产率、低成本、可集成的硅纳米线谐振子制备.

关键词: 纳机电系统(NMES) , 硅纳米线 , 自上而下法 , 谐振子

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氯化铯纳米岛生长技术

基于碳纳米管的纳机电系统的可控稳定振动

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