郝文涛
,
徐攀攀
,
张家良
,
曹恩思
,
彭华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13212
利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究.结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz～110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相.这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释.NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50～80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义.
关键词:
NaCu3Ti3NbO12
,
NaCu3Ti3SbO12
,
巨介电性质
,
内阻挡层电容效应
