施建荣
,
康琳
,
蔡卫星
,
陈亚军
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.060
本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.
关键词:
NbN
,
AlN
,
NbN/AlN/NbN
,
磁控溅射
,
射频磁控溅射
陈亚军
,
康琳
,
蔡卫星
,
施建荣
,
赵少奇
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.004
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.
关键词:
NbN
,
AlN
,
磁控溅射
,
XRD
,
c轴取向
沈建兴
,
李传山
,
张雷
,
董金美
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.05.038
以NbN/MoSi2/Si3N4复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧化性能.利用X射线衍射分析、扫描电镜分析和X光能谱分析,对复合材料的氧化产物进行了测定.结果表明试样在1150～1400 ℃温度范围内氧化出现了2个阶段,即0～15 h线形快速氧化阶段,A、B氧化活化能分别为98kJ/mol和132kJ/mol,而15h以后为抛物线缓慢氧化阶段,A、B氧化活化能分别为426kJ/mol和492kJ/mol;气孔率越高,氧化越严重,快速氧化阶段持续时间越长.
关键词:
NbN
,
MoSi2
,
Si3N4
,
复合材料
,
氧化
