王召兵
,
蔡岸
,
奚同庚
,
张庆礼
,
孙敦陆
,
殷绍唐
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00170
提拉法生长了Nd3+:Gd3Ga5O12(Nd:GGG) 单晶, 用差示扫描量热法(DSC)和激光脉冲法分别测量了Nd:GGG激光晶体的比热和热扩散系数, 计算得到晶体的导热系数, 与用PPMS测量得到的导热系数相吻合. 实验结果表明: Nd:GGG激光晶体具有较大的比热和导热系数, 具有良好的热物理性能; Nd:GGG晶体的热扩散系数和导热系数随着温度的升高而减小; 计算得到晶体的德拜温度为711K.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
specific heat
,
thermal diffusivity
,
thermal conductivity
孙敦陆
,
张庆礼
,
肖敬忠
,
朱佩平
,
黄万霞
,
袁清习
,
王爱华
,
殷绍唐
功能材料
应用同步辐射X射线白光形貌术,对Nd:GGG晶体中的缺陷进行了研究,观察到晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,对生长条纹产生的机理和位错的类型进行了分析讨论,生长条纹是由于温度波动引起生长率的起伏产生的,确定晶体中的位错有刃型位错、螺旋位错和混合位错.根据生长条纹和位错的生成机制,提出了一些改进生长工艺的措施和方法,为生长质量更高的晶体提供了参考.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
同步辐射
,
生长条纹
,
位错
孙晶
,
李昌立
,
曾繁明
,
万玉春
,
李建立
,
刘景和
硅酸盐通报
本文从宏观和微观上研究了Nd:GGG晶体的体缺陷,发现Nd:GGG晶体的体缺陷主要包括开裂、沉积物、空洞和包裹物等.扫面电镜及能谱分析结果表明,空洞中的物质分别为[Gd(Nd)]4Ga2O9、[Gd(Nd)]3GaO6 和[Gd(Nd)]GaO3.包裹物的主要是组分是Ga2O3,是由于晶体生长过程中原料挥发通过固-液界面进入晶体而形成的.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
体缺陷
,
开裂
,
空洞
王召兵
,
张庆礼
,
孙敦陆
,
殷绍唐
,
苏静
,
张霞
,
邵淑芳
,
谷长江
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.018
Nd:GGG晶体是热容固体激光器的一种重要的工作介质.采用提拉法沿〈111〉方向生长出直径为60 mm的Nd:GGG单晶,利用应力仪、偏光显微镜和环境扫描电子显微镜及化学腐蚀等仪器和手段,对晶体的宏观和微观缺陷进行了观察和分析,可为改善生长工艺、生长大尺寸优质Nd:GGG晶体提供指导.
关键词:
材料
,
缺陷
,
应力双折射
,
Nd:GGG晶体
,
热容固体激光器
,
位错
曾繁明
,
孙晶
,
李建利
,
朱忠丽
,
万玉春
,
张亮
,
关效贤
,
刘景和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.029
本文采用提拉法(CZ)生长了Nd:GGG晶体,并从理论上讨论了包裹物、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了生长元开裂Nd:GGG晶体的最佳工艺参数:径向温度梯度越小越好,纵向温度梯度在0.5℃/mm,提拉速度2~4mm/h,晶体转速20~40r/min,降温速率不超过20℃/h.通过设计合理而稳定的温场、选择最佳工艺参数及退火处理等方法,较好地解决了Nd:GGG晶体开裂问题.
关键词:
提拉法
,
Nd:GGG晶体
,
晶体开裂
刘景和
,
孙晶
,
曾繁名
,
李建利
,
万玉春
,
关效贤
稀有金属材料与工程
采用提拉法生长了Nd:GGG晶体.晶体切割后经过端面抛光,测试了荧光光谱和吸收光谱.荧光光谱测试结果表明晶体的最强的荧光发射峰位于9430 cm-1,是Nd3+4F3/2-4Ill/2谱项导致的荧光发射.吸收光谱测试结果发现Nd:GGG晶体的最强吸收峰位于808 nm,所以该晶体适合于LD泵浦,并且吸收峰强度随掺杂离子浓度的增加而增加.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
荧光光谱
,
吸收光谱
李建立
,
孙晶
,
曾繁明
,
万玉春
,
张亮
,
刘景和
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.017
本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
组分过冷
,
SEM