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RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析

李春 , 曾繁明 , 林海 , 郑东阳 , 杨晓东 , 刘贺 , 王丹 , 崔亚军 , 郑卫新

人工晶体学报

采用提拉法生长Nd∶ YAP和Tm∶ YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品.结果表明:经真空退火,提高了晶体质量.Nd∶ YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87 μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出.

关键词: Nd∶YAP晶体 , Tm∶YAP晶体 , 晶体缺陷 , 吸收光谱 , 荧光光谱

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