余晋岳
,
朱军
,
周狄
,
禹金强
,
俞爱斌
,
蔡炳初
,
魏福林
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.006
观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.
关键词:
磁性薄膜元件
,
反磁化
,
磁畴
,
Neel畴壁
