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快速退火对 Ni-Al-O 栅介质结构和介电性能的影响

李曼 , 刘保亭 , 王玉强 , 王宽冒

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00257

采用反应脉冲激光沉积方法(PLD)分别在n-Si(100)和Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上生长了Ni-Al-O栅介质薄膜,将样品在不同温度下进行快速退火处理. 通过XRD和AFM对其结构和表面形貌进行了表征,利用LCR表和Keithley表对其介电性能和漏电流进行了...

关键词: 高k栅介质 , Ni-Al-O thin film , reactive pulsed laser deposition