洪波
,
姜传海
,
王新建
,
吴建生
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.07.005
用原位XRD技术分析了连续加热过程中电沉积Ni-P薄膜晶化与相变行为.通过定量分析,确定出不同温度下各相的析出量,由此计算出各相的晶化与相变激活能以及晶化结晶度.结果表明,Ni-P非晶薄膜的晶化与相变行为与薄膜中P的含量有关.在晶化过程中出现了四种亚稳相即NiP,Ni2P,Ni12P5及Ni5P2.计算得到:亚稳相NiP,Ni2P及稳定相Ni3P的相变激活能分别为133±15,172±1g及190±20 kJ/mol;单个析出相的相变激活能低于Ni-P合金晶化激活能和Ni原子的自扩散激活能.
关键词:
Ni-P非晶薄膜
,
晶化过程
,
原位XRD
,
激活能
,
结晶度
洪波
,
姜传海
,
王新建
,
吴建生
金属学报
利用电沉积方法制备Ni-P非晶薄膜。借助原位X射线分析技术，分析连续加热过程中薄膜晶化与相变行为等。通过X射线定量分析，确定出不同温度下各相的析出量，由此计算各相的晶化与相变激活能以及晶化结晶度等。结果表明，Ni-P非晶薄膜的晶化与相变行为等，均与薄膜中P含量有关。在晶化过程中，发现了四种亚稳相即NiP、Ni2P、Ni12P5及Ni5P2。计算得到：NiP、Ni2P及Ni3P的相变激活能分别为 、 及 ；单个析出相的相变激活能低于Ni-P合金晶化激活能和Ni原子的自扩散激活能。
关键词:
Ni-P非晶薄膜
,
crystallization process
,
in suit XRD
