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退火对NiCo薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响

季红 , 季勇 , 周萍 , 郑鹉 , 王艾玲 , 姜宏伟

功能材料

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在200、300、400℃温度下对两种样品退火.结果表明,不同的退火温度导致样品AMR值不同,在退火200℃时样品AMR值最大,超过200℃退火磁电阻急剧下降.XRD和摇摆曲线的结果都表明,退火后晶粒的平均晶粒尺寸都会长大,晶内缺陷减少.振动样品磁强计(VSM)测量的结果显示,退火后样品的磁矩有所减小,矫顽力增大,表明缓冲层与NiCo磁薄膜之间有扩散现象.

关键词: 各向异性磁电阻(AMR) , 织构 , 晶粒尺寸 , NiCo薄膜

(Ni0.81Fe0.19)66Cr34缓冲层对Ni74Co26薄膜各向异性磁电阻的影响

周丽萍 , 季勇 , 季红 , 王艾玲 , 郑鹉 , 姜宏伟

功能材料

用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.

关键词: 缓冲层 , NiCo薄膜 , 各向异性磁电阻

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