薛玉明
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孙云
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朴英美
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李长健
功能材料
通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
薛玉明
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孙云
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李凤岩
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朴英美
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刘维一
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周志强
,
李长健
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
,
太阳电池
