文军
,
陈长乐
,
潘峰
,
吴小丽
,
张修兴
材料导报
ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺.概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的p型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径.
关键词:
ZnO薄膜
,
P型掺杂
,
稀土掺杂
,
受激发光
,
稀磁半导体
许积文
,
王华
,
任明放
,
杨玲
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.03.030
氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60 meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料.有效的p型ZnO薄膜掺杂是实现ZnO基光电器件的基础,虽然取得一定的进展,但从性能上来看,远远不及n型ZnO薄膜,而且重复性差.分析难于实现氧化锌p型掺杂的主要原因,综述近年来出现的p型掺杂的新方法、掺杂机制及其有效的实现工艺,指出今后的发展趋势和研究重点.
关键词:
ZnO
,
P型掺杂
,
综述
,
制备方法
温晓莉
,
陈长乐
,
陈钊
,
韩立安
,
高国棉
材料导报
介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.
关键词:
ZnO
,
薄膜
,
P型掺杂
,
p-n结
,
磁性能
