华国环
,
刘清惓
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0989
为了分析 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率，提出了2种分析模型.DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件.CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的 DPLD 管；VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的 DPLD 管；测试结果显示 CRC 和 VCCS 模型都具备较高的精度，模型误差分别是2.26％和4.04％.CRC 模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个，分别是：充电时间、沟道电阻、负载电容.2种模型分析的对比结果表明，沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大，使用较小沟道电阻的 DPLD 管可以显著提高 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率.CRC 和 VCCS 模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率.
关键词:
分析模型
,
PDP列驱动芯片
,
DPLD管
,
寻址功耗
,
能量恢复效率
