左雄
,
孙奉娄
,
樊英
表面技术
目的 根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题,对渗陶电源进行改进,使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率.方法 分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素,以这些因素为依据,通过改变渗陶电源放电的各种参数,比较在不同参数下处理的效果.结果 在最佳组合的放电参数下,这种改进后电源在...
关键词:
等离子体
,
PECVD
,
陶瓷膜
,
A2K电源
吴晓松
,
褚学宁
,
李玉鹏
人工晶体学报
利用多响应正交试验方法研究了PECVD法沉积氮化硅薄膜的工艺参数的优化问题.鉴于目前针对多输出影响过程,尚无有效的方法进行工艺参数优化这一问题,利用综合评分法对衬底温度、气体总流量、NH3/SiH4流量比、反应腔气体压力、高频电场功率5个对氮化硅薄膜的主要质量特性影响较大的工艺参数进行全局优化,再对...
关键词:
PECVD
,
氮化硅薄膜
,
正交试验
,
工艺参数
张龙龙
,
周炳卿
,
张林睿
,
高玉伟
硅酸盐通报
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微...
关键词:
PECVD
,
富硅氮化硅薄膜
,
非晶结构
,
光学带隙
朱恒伟
,
李文杰
,
张金云
,
叶欢
,
陈国安
,
吕斌
,
吕建国
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.009
采用自主研制的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)专用设备,在玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜,用作阻隔涂层.通过设计沉积工艺,在不同的气体流量比例、工作气压和生长时间等生长条件下制备出SiO2薄膜;通过扫描电子显微镜(SEM)测试表征薄膜的形貌和结构,评价薄膜的性能.根据表征结果分析了各种工艺参数对...
关键词:
PECVD
,
玻璃容器
,
内壁镀膜
,
SiO2薄膜
,
SEM表征
黄海宾
,
张东华
,
汪已琳
,
龚洪勇
,
高江
,
Wolfgang R.Fahrner
,
周浪
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.022
氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料.采用PECVD法,以 SiH4、CO2和 H 2作为气源制备α-Si O x∶H 薄膜钝化 Cz-Si 表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制.采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其...
关键词:
氢化非晶氧化硅
,
PECVD
,
硅片表面钝化
,
空位浓度
,
氢含量
宋辉
,
赵明
,
何广平
,
冯伟
表面技术
目的:针对传统镁合金化学转化膜裂纹尺寸大、耐腐蚀性差等问题,制备一种镁合金磷酸盐/氮化硅双层结构的抗腐蚀复合膜。方法先对镁合金进行传统磷酸盐转化处理,再运用等离子体增强化学气相沉积技术沉积氮化硅膜层,分析复合膜的形貌、元素分布、表面电位及极化曲线,并与磷酸盐转化膜进行对比。结果氮化硅膜层能在磷酸盐转...
关键词:
镁合金
,
磷酸盐转化
,
PECVD
,
复合膜
,
耐蚀性
周凯
,
柯培玲
,
汪爱英
,
邹友生
材料研究学报
利用混合离子束系统,通过辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出类金刚石薄膜(DLC)和掺氮类金刚石薄膜(N-DLC),用可见拉曼光谱、X射线光电子能谱和扫描探针显微镜表征薄膜微观结构和表面形貌,采用电化学工作站测量了薄膜的电化学性能.结果表明,DLC薄膜的表面光滑致密、粗糙度低,掺...
关键词:
无机非金属材料
,
PECVD
,
N-DLC
,
微观结构
,
电化学性能
周梁
,
韩大伟
,
孙泉钦
,
王丹名
,
李华
,
陈垚
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0813
在 TFT-LCD 行业,PECVD 设备主要用于 Array TFT 基板工艺中的气相沉积;产生的非金属膜层,为金属电路提供保护、开关作用;在 PECVD 工艺制程中,腔体设计复杂,反应条件苛刻,产生的制程物会造成产品不良,故需要定期进行 PM(pre maintenance 预防性维护)。本文以...
关键词:
TFT-LCD
,
PECVD
,
腔体检漏工具
,
自主设计