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常规退火与光退火固相晶化的对比

靳锐敏 , 卢景霄 , 王海燕 , 张丽伟 , 王生钊 , 刘萍 , 王红娟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀...

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 传统退火炉子 , 光退火 , 晶粒大小 , 拉曼光谱 , XRD , SEM

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

靳瑞敏 , 王玉仓 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温...

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 二次晶化 , 拉曼光谱 , 扫描电镜

在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响

靳瑞敏 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄

材料导报

用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火晶化 , 拉曼光谱

光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏 , 罗鹏辉 , 陈兰莉 , 郭新峰 , 卢景霄

人工晶体学报

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火 , 量子态 , 晶粒大小

玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏 , 卢景霄 , 冯团辉 , 王海燕 , 张丽伟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.023

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.

关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 传统炉退火 , 量子态 , 晶粒大小

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

邱春文 , 石旺舟 , 黄羽中

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.011

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),...

关键词: PECVD法 , 多晶硅薄膜 , 低温制备

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