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PIN-PT晶体铁电性和压电性的温度稳定性研究

郭益平 , 罗豪甦 , 潘晓明 , 徐海清 , 殷之文

无机材料学报

测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃籽晶生长出的Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃-PbTiO₃单晶的铁电、压电性能的温度稳定性,研究结果发现,<001>取向的PIN—PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ-1％,k33值最大可达到95％,d₃₃值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k₃₃值也只下降不到10％.研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN—PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.

关键词: PIN-PT单晶 , dielectric , piezoelectricity , temperature stability

PIN-PT晶体铁电性和压电性的温度稳定性研究

郭益平 , 罗豪甦 , 潘晓明 , 徐海清 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.05.006

测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性.研究结果发现,<001>取向的PIN-PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ～1%,k33值最大可达到95%,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10%研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN-PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.

关键词: PIN-PT单晶 , 压电 , 介电 , 温度稳定性

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