张源涛
,
崔勇国
,
张宝林
,
朱慧超
,
李万成
,
常遇春
,
杨树人
,
杜国同
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学...
关键词:
ZnO薄膜
,
Si衬底
,
PL谱
,
异质结
李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
曾冬梅
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进...
关键词:
CZT晶体
,
PL谱
,
I-V特性
,
C-V特性
蒋平
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
吴兆丰
功能材料
采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质.实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)峰和(101)峰的两种取向.在沉积气压>1.0Pa时...
关键词:
射频磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
透射率
,
光学带隙
,
PL谱
谢可可
,
仇旭升
,
孔明光
,
刘炳龙
,
汪壮兵
,
于永强
,
章伟
,
梁齐
材料导报
利用PLD法在Si衬底上成功地制备了具有较好C轴择优取向生长的ZnO薄膜,从样品的XRD谱可以看出在环境氧压为20Pa,衬底温度为700℃时生长的样品的XPD谱(002)峰半高宽较窄,膜的结晶程度最好.不同的衬底温度下膜的生长机制也不一样,主要有:V-L-S机制和V-S机制.样品室温下的PL谱显示所...
关键词:
ZnO薄膜
,
PLD
,
XRD
,
PL谱
蔺云
,
介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分...
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
俞鹏飞
,
介万奇
人工晶体学报
以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3....
关键词:
CdZnTe晶体
,
退火
,
红外透过率
,
PL谱
王连家
,
竹有章
,
王红霞
,
刘本利
功能材料
用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在c-Al2O3衬底上生长了InGaN三元合金薄膜,重点研究了其光致发光光谱,通过改变光谱仪的接收位置,观察到PL谱之间的差异.为了验证此种现象和激发光功率的相关性,实验中通过改变激发光的强度,从而断定强功率的激发光会引起局域化激子复合发光的受激辐射,从而导致PL...
关键词:
InGaN
,
PL谱
,
受激辐射
,
波导效应
朱兴文
,
李勇强
,
陆液
,
李英伟
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.02.034
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了[101]取向的Li:ZnO薄膜,研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律.结果表明,399nm的发光峰是由Li的杂质能级引起;与[002]取向的薄膜相比,未经热处理的[101]薄膜其光学带隙大,且出现了380nm附近的带边发射(NBE)峰;在560～580℃...
关键词:
ZnO薄膜
,
Li掺杂
,
[101]取向
,
PL谱
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 ...
关键词:
CdZnTe晶体
,
红外透过显微成像
,
富Te颗粒
,
PL谱
李燕
,
陈希明
,
熊英
,
杨保和
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.004
采用直流磁控反应溅射法,在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜,并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究.结果表明N型(100)Si衬底上,ZnO(002)取向度最高,分析认为是由于N型(100)Si与ZnO(002)晶格匹配度高所致.
关键词:
溅射
,
ZnO
,
X衍射
,
PL谱
,
晶格匹配
