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陶瓷型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性

张兴元 , 陈王丽华 , 蔡忠龙

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2000.03.015

建立起高压介电测试装置和相应的数据处理方法.研究了PZT/P(VDF-TrFE) 和 PT/P(VDF-TrFE) 0-3型铁电复合物厚片介电系数的电场依赖性.对于陶瓷体积分数φ>0.3的复合物,介电系数随测试场强的升高明显增大.在φ<0.1 时,可用Maxwell-Garnett方程拟合试验结果. Bruggeman 方程适合于低电场(<1 MV/m)下复合物介电系数的预测.通过Lz的变化,用Yamada 模型可拟合复合物介电系数随电场变化的关系,说明Lz是由复合物的组分维数、粒子形状以及粒子间静电相互作用所决定的参数.

关键词: PZT/P(VDF-TrFE) , PT/P(VDF-TrFE) , 铁电复合物 , 介电系数 , 电场依赖性