材料期刊网

PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究

张福甲 , 冯煜东 , 李东仓 , 胥超

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.013

利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理.

关键词: PTCDA/P-Si , AFM , 表面形貌 , 岛密度 , 衬底温度