惠迎雪
,
樊慧庆
,
刘卫国
材料导报
采用真空热蒸发技术在单晶硅基底上沉积PVDF薄膜.通过分析阻蒸温度对薄膜沉积速率和真空室气压变化的影响研究了PVDF镀膜过程.同时利用傅立叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)对薄膜的晶型结构进行了表征分析,结果发现,真空热蒸发技术可制备具有高度取向性的α晶相PVDF薄膜,且薄膜中不舍C=C键.相比于PVDF树脂粉末,所得薄膜的结晶度明显增大而分子量显著减小,实现了PVDF薄膜的低维化制备.
关键词:
PVDF薄膜
,
取向生长
,
真空热蒸发
,
α相
,
薄膜结构
叶芸
,
郭太良
,
蒋亚东
,
黎威志
材料研究学报
用高分辨率X-射线光电子能谱（XPS）研究了热极化和电晕极化的PVDF薄膜的成分和结构的变化。结果表明：PVDF薄膜的热极化和电晕极化反应过程和机理不同。在热极化过程中.高温强电场作用使PVDF薄膜产生了少量的F^-自由基,继而产生HF,形成了新C=C键：怛是,在电晕极化过程中荷能粒子使PVDF产生了H^＋自由基。热极化PVDF薄膜的剩余极化值约为3.5μC/cm^2,电晕极化PVDF薄膜的剩余极化值约为3.0μC/cm^2。
关键词:
无机非金属材料
,
热极化
,
电晕极化
,
PVDF薄膜
,
XPS
