程基宽
,
高积强
,
刘军林
,
蒋仙
,
杨建峰
,
乔冠军
稀有金属材料与工程
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长.用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷.结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多.活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率.
关键词:
缺陷
,
PVT
,
SiC晶体
,
附加碳源
李翠
,
杨立文
,
蒋秉轩
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.06.017
平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量.因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义.使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制.结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的.籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔；气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高.籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解.结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体.
关键词:
PVT
,
6H-SiC单晶
,
平面六方空洞
,
背向分解
赵洋
,
王克俭
高分子材料科学与工程
采用研制的压力-体积-温度（PVT）-超声波同步检测装置，表征了高密度聚乙烯的超声波传递特性和比容。实验表明，检测超声波信号的衰减系数和声速能够连续分析高密度聚乙烯（HDPE）的熔融过程、熔点和固熔两态PVT。进一步，对声速和比容实验数据直接拟合及分析得出三组定量二者关系的方程（纽），均能很好地描述声速和比容之间的函数关系，这为在线检测提供了理论依据，可分析压力对材料热学性能、绝热压缩性的影响。
关键词:
超声波
,
压力-体积-温度
,
同步检测
,
高密度聚乙烯
杨昆
,
杨祥龙
,
崔潆心
,
彭燕
,
陈秀芳
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC单晶.在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒.在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿孔分布相似的包裹物分布.通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源.并根据该分析进一步提出了减少PVT方法制备SiC单晶中碳包裹物的方法.
关键词:
物理气相传输
,
4H-SiC
,
碳包裹物
,
质量输运
,
形成机制
张群社
,
陈治明
,
蒲红斌
,
李留臣
,
封先锋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.036
本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计.分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时SiC粉源升华面和籽晶表面的温度分布.得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则.根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数.
关键词:
SiC
,
模拟
,
温度场
,
PVT法
马剑平
,
刘洋
,
藏源
人工晶体学报
以高纯氧化锌粉为升华源,采用物理气相传输法(PVT)法在1500℃下生长出了ZnO多晶体,生长速率达0.24 mm/h.样品XRD测试和拉曼分析表明,无籽晶自发成核生长的ZnO多晶体不仅具有六方纤锌矿结构,而且具有c轴方向择优生长特征.实验结果表明了PVT法可以进行大尺寸ZnO晶体的生长,并且可以达到0.2 mm/h以上的生长速率.
关键词:
ZnO晶体
,
物理气相传输
,
生长
