戴雷
,
胡珊
,
郑辉
,
王少博
材料科学与工程学报
采用固相法合成了性能良好的PZN-PZT陶瓷粉体.将压电陶瓷粉体分散于PVDF基体中,制备了0-3型PZN-PZT/PVDF压电复合材料.研究了复合材料的复合工艺、极化参数与压电陶瓷的含量对复合材料压电性能的影响.结果表明,溶液混合工艺较好,且当极化电场强度为6kV·mm-1、温度为110℃进行极化20min时,陶瓷粉体质量分数为90%的复合材料的压电性能最好,压电常数d33值达35.9 pC·N-1.
关键词:
压电复合材料
,
PZN-PZT
,
PVDF
,
压电性能
路朋献
,
侯育冬
,
朱满康
,
严辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.009
研究了Cr2O3掺杂对0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ti0.5Zr0.5)O3(PZN-PZT)陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明,Cr2O3掺杂量小于0.3wt%时,Cr2O3能引起三方-四方相变,四方相含量增加,晶粒尺寸和烧结密度上升;掺杂量高于0.3wt%时,Cr2O3掺杂能抑制晶粒长大并降低烧结密度.同时,Cr2O3掺杂表现出硬性掺杂特征:εr变小,Qm值增加.而tanδ,kp和d33随Cr2O3掺杂量增加而表现出极值特征.最佳的压电性能出现在Cr2O3掺杂量为0.3wt%处.
关键词:
铬掺杂
,
PZN-PZT
,
相结构
,
压电性能
路朋献
,
马秋花
,
邹文俊
,
侯永改
,
王改民
,
王春华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.02.024
研究了施主掺杂离子Nb5+对Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2Ti0.4Zr0.4O3 (PZN-PZT) 压电陶瓷微观结构和电性能的影响. Nb2O5加入量为0.0%~1.0%, 样品制备采用钶铁矿前驱体方法. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析, 确定了Nb2O5在钙钛矿主晶格中的固溶限度为0.5%左右. 少量Nb2O5能够抑制晶粒生长, 并导致四方相向三方相转变和晶体四方度的降低;而过量Nb2O5对晶粒尺寸、相转变和晶格畸变没有显著影响. 材料的电性能随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化, 最优电性能在固溶限度处.
关键词:
Nb2O5掺杂
,
PZN-PZT
,
微观结构
,
电学性能
李小兵
,
田莳
,
李宏波
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2002.03.015
采用固相烧结法合成了PZN-PZT(铌锌锆钛酸铅)三元系压电陶瓷烧结块材和粉末,并采用XRD、SEM等测试方法对其结构和性能进行了分析.PZN-PZT常压烧结陶瓷具有优良的压电性能,PZN-PZT颗粒粒径在0.5~4 μm之间,颗粒形态不太规整.采用溶液共混法将PZN-PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZN-PZT/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了PZN-PZT质量分数、极化电场等因素对该压电复合材料压电和介电性能的影响.实验结果表明,选用压电活性更高的压电陶瓷粉末进行复合,可有效提高压电复合材料的压电性能.增加PZN-PZT质量分数、提高极化电压均有利于复合材料压电性能的提高.
关键词:
PZN-PZT
,
固相烧结法
,
压电复合材料
,
溶液共混法
侯育冬
,
杨祖培
,
高峰
,
屈绍波
,
田长生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.013
研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系"变硬",εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低.
关键词:
锰掺杂
,
PZN-PZT
,
压电性能