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肖强 , 李言 , 李淑娟
宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.003
综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.
关键词: SiC单晶片 , 化学机械抛光 , 粗糙度 , 抛光效率
