材料期刊网

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

杨慧 , 张正选 , 张恩霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.008

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能...

关键词: SIMOX , SOI , 总剂量辐照效应 , Pseudo-MOS