殷景华
,
蔡伟
,
李美成
,
赵连城
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi.
关键词:
PtSi
,
薄膜
,
表面形貌
,
组织结构
殷景华
,
郑馥
,
李雪
,
赵连城
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.016
利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,PtSi中价电子的能谱向高结合能方向移动,Pt的5d电子是化合物中重要的成键电子.
关键词:
PtSi
,
价电子结构
,
导电性
