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以SBA-16薄膜/ITO为基底电沉积生长"花状"CdS纳米晶体

万丽娟 , 付宏刚 , 史克英

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.07.002

在酸性条件下,以导电玻璃(ITO)为基底合成sBA.16分子筛膜.所制备的SBA-16薄膜孔径均匀,具有体心立方结构(属于Im3m空间群).在由CdCl2和Na2S2O3组成的电解液中,调节pH值为2~3.利用直流恒电位电沉积法,调节电位为-0.7 V,沉积时间为50 min,在SBA-16膜/ITO电极表面电沉积生长出"花状"CdS纳米晶体,利用SEM、TEM等技术研究了CdS纳米晶体形貌和结构,同时进行了荧光光谱测试.结果表明,电沉积合成的CdS生长在电极表面而不是生长在介孔孔道中.并能够产生荧光谱峰.

关键词: 介孔 , SBA-16膜 , 电沉积 , CdS

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