付兴华
,
傅正义
,
丁碧妍
,
单连伟
,
韦其红
,
侯文萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.018
采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.
关键词:
硅基片
,
SBT薄膜
,
介电性能
,
结构特征
付兴华
,
方舟
,
傅正义
,
单连伟
,
丁碧妍
,
韦其红
,
侯文萍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.010
采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜(Nb=0-4.12mol%),采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3(BSNT)薄膜介电性能的影响.当Nb分别为0-4.12mol%时,相对介电常数εr降低而介质损耗tanδ均得到了改善,当测试频率为1kHz,tanδ由0.09降低到0.067;居里温度Tm逐渐移向低温;在测试频率2.0-10MHz范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性.采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征.薄膜为四方钙钛矿晶体结构,但Nb的溶入改变了晶胞参数的c/a比,减小了薄膜的晶粒尺寸,提高了薄膜的致密度.
关键词:
SBT薄膜
,
介电常数
,
介质损耗
,
Nb施主掺杂
,
结构特征
