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介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层...

关键词: SOI , SIMOX , Pseudo-MOSFET , 隐埋氧化层

SOI技术的新进展

林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.001

通过对最近两次SOI国际会议的分析，综述了SOI技术取得的新进展。三种SOI技术SIMOX，Smart－cut和BESOI已走向商业化,在高温与辐射环境下工作的SOI电路也走向了市场。近来人们更加重视SOI技术，是因为SOI在实现低压、低功耗电路上的突出优越性。

关键词: SOI , SIMOX , Smart－cut , 低压低功耗电路

等离子体基离子注入法制备SOI材料

于伟东 , 王曦 , 陈静 , 张苗

功能材料

注氧隔离法(SIMOX)和体硅智能剥离法(smart-cut)是目前制备绝缘体上的硅(SOI)材料的最重要的两种方法.而离子注入是其中最主要工艺过程.本文简述了等离子体基离子注入(PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状.讨论了两种方法中需要考虑的共性问题,包括注入剂量的均匀性、等离子...

关键词: SOI材料 , PBII , SIMOX , Smart-Cut

SOI材料的缺陷及其表征

夏庆锋 , 杨德仁 , 马向阳 , 阙端麟

材料导报

简述了利用注氧隔离法(SIMOX)制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施.

关键词: 缺陷 , SOI材料 , 表征 , SIMOX

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

毕大炜 , 张正选 , 张帅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.014

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验.结果表明加固工艺能有效提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂...

关键词: SIMOX , SOI , 总剂量辐射效应 , Pseudo-MOS晶体管

低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

郑望 , 陈猛 , 陈静 , 林梓鑫 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.023

用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

关键词: SOI , SIMOX , Secco , Cu-plating , 线缺陷

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

杨慧 , 张正选 , 张恩霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.008

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能...

关键词: SIMOX , SOI , 总剂量辐照效应 , Pseudo-MOS

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超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征

SOI技术的新进展

等离子体基离子注入法制备SOI材料

SOI材料的缺陷及其表征

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

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