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深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化

杨媛 , 高勇 , 巩鹏亮 , 刘静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.004

在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs的输出特性和有源区温度分布,得出了SOAN器件更适合高温应用的结论;针对高温应用环境,对SOAN器件结构参数及...

关键词: 高温 , SOAN , SOI , 结构优化