唐盼盼
,
王颖
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.016
研究了一种具有OB(Oxide By - passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真.通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ·cm2降低到1.96mΩ·cm2,同时克服了SJ LDMOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷.
关键词:
SOI结构
,
OB结构
,
导通电阻
,
电荷补偿
陈静
,
王湘
,
董业民
,
郑志宏
,
陈猛
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.002
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料.测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析.结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关.
关键词:
低剂量注水
,
注入能量
,
SOI结构
张新
,
高勇
,
王彩琳
,
邢昆山
,
安涛
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2005.03.015
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术[1],是国际半导体的前沿技术之一,是发展兵器装备用元器件的又一关键材料技术.介绍了SOI材料结构技术用于微电子器件的优势、SOI结构及基于SOI结构材料的兵器微电子技术应用,展望了SOI技术的发展前景.
关键词:
SOI材料技术
,
SOI结构
,
兵器微电子技术
